Справочник по зарубежным биполярным транзисторамПодборка справочных данных по зарубежным биполярным транзисторам, представлена их распиновка и цоколевка, приведены их основные технические параметры и свойства, показаны типовые схемы включения в радиолюбительском деле.
2N3906 - Получил широкое распространение в современной электронике, особенно в схемах где нужна высокая скорость переключения. Отличительной особенностью можно считать: малое напряжение насыщения коллектора, высокий коэффициент усиления и низкий коэффициент собственных шумов. 2N5401 -Чаще всего используется в схемах коммутирующих устройств и усилителях, благодоря низкому уровню шумов 2SA1015 - Обладает следующими основными параметрами коллекторный ток до 150 мА максимальное напряжения до 50 В, низкий уровень собственных шумов и отличный коэффициентом усиления. Применяется в схемах усилителей низкой частоты. BC547 - Полупроводниковый прибор является биполярным, кремниевым, эпитаксиально-планарным транзистором, структуры n-p-n, с высоким коэффициентом усиления и низким напряжением насыщения, малой мощности. Применяются в переключающих и импульсных устройствах. Транзисторы серии BC547 бывают нескольких групп по коэффициенту усиления. Транзистор BC547A имеет коэффициент усиления в диапазоне от 110 до 220, BC547B - в диапазоне от 200 до 450, BC547C - в диапазоне от 420 до 800. BC549, BC550 малошумящий биполярный транзистор структуры NPN. Не содержит свинца и других опасных соединений, а значит в случае его утилизации безопасен для окружающей среды BC557 - Полупроводниковый прибор является комплементарной парой BC547. S9012 - P-N-P структуры относится к кремневым высокочастотным небольшой мощности до 625 мВт, изготавливается по эпитаксальной технологии в пластиковых корпусах TO-92 и SOT-23. Bмеет неплохие технические параметры, особенно хороша линейность коэффициента передачи тока и высокий номинал колекторного тока S9013 - N-P-N структуры относится к той же группе и является комплементарной парой рассмотренного на одну позицию выше устройства.
2N2222 - биполярный, кремниевый, высокочастотный транзистор N-P-N структуры, средней мощности. BC337 - относится к высокочастотным биполярным средней мощности. Получил широкое распространение в в схемах управления маломощной нагрузкой более 24 вольт (реле, лампа накаливания и т.п). Имеет высокий коэффициент усиления по току BD139 - биполярный транзистор типа n-p-n BD140 - является биполярным транзистором структуры p-n-p с рассеиваемой мощностью коллектора до 12 Ватт 2SD882 n-p-n полупроводниковая серия приборов относится к высокочастотным общего применения. Они получили широкое распространение в радиоэлектронике в основном в ключевых и линейных схемах. Изготавливается по эпитаксиально-планарной технологии. В семейство входят: 2SD882E, 2SD882GR, 2SD882O, 2SD882R, 2SD882Y
2N3055 - является мощным биполярным полупроводником n-p-n структуры, используются в различных электронных схемах: в источниках питания, в схемах переключения в аудио устройствах, и т.п. В данной статье приведены его основные технические характеристики и параметры из справочной документации фирмы Semiconductor. 2SC5200 - Полупроводниковые приборы серии 2SC5200 делятся на несколько групп, в зависимости от коэффициента усиления. Так модель 2SC5200R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 55 до 100, 2SC5200O - от 80 до 160, 2SC5200N - от 55 до 160. MJ2955 - Мощный биполярный радиокомпонент n-p-n структуры, который используются в различных схемах: в блоках питания и в аудио техники. TIP41C и TIP42C Мошные биполярный транзисторы, являются комплементарной парой друг друга и обладают почти одинаковыми техническими параметрами, ха исключением своей структуры TIP2955 Мошный биполярный транзистор структуры p-n-p Полупроводниковый прибор TIP3055 является комплементарным силовым транзистором, который используются в различных схемах электроники, но чаще всего его можно встретить в различных источниках питания. Изготовитель компания STMicroelectronics.
TIP122, TIP127 - являются составными биполярным транзистором Дарлингтона, все они имеют четыре вывода: база, эмиттер и два коллектора (соединены внутри между собой, второй коллектором является корпус), смотри их внутреннюю схему и распиновку на рисунке ниже.
Серия S8050 она же j3y (S8050C, S8050D, S8050T) n-p-n полупроводники относится к высокочастотным. Получил широкое распростронение в электронном мире в основном в схемах коммутации и усилителях. Обладает следующими основными параметрами коллекторный ток до 700 мА максимальное напряжения до 20 В, низкий уровень собственных шумов и коэффициентом усиления по току до 300.
Огромная подборка Data Sheet в формате pdf |
|