Данный P-N-P полупроводник относится к маломощным высокочастотным биполярным транзисторам. Получил широкое распространение в современной электронике, особенно в схемах коммутирующих устройств и усилителях, благодоря низкому уровню шумов. Способен работать на высоких предельных напряжениях, имеет неплохие частотные характеристики. Его изготавливают на кремневой основе по эпитаксально-планарной архитектуре в типовом пластиковом корпусе TO-92 и smd исполнении SOT-23, TO-89.
Транзистор выпускает достаточно много зарубежных фирм: NXP Semiconductors, Semtech Corporation, Boca Semiconductor Corporation, Micro Electronics, ON Semiconductor, Weitron Technology, UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD, SeCoS Halbleitertechnologie GmbH, Samsung semiconductor и многие другие.
Его отличительной особенностью можно считать: повышенные напряжения переходов и низкий коэффициент собственных шумов.
Транзисторы 2N5401 используются во многих схемах электроники, в том числе и в радио любительской практике.
По ссылке выше вы сможете скачать Datasheet на кремниевый транзистор 2N5401, а также посмотреть его подробные параметры и технические характеристики, в удобном для просмотра формате PDF.
Цоколевка и распиновка 2N5401 datasheet
В настоящее время он изготавливаются в пластиковом корпусе с тремя внешними выводами (эмиттер, база, коллектор) ТО-92 для дырочного монтажа на платы и в смд исполнении SOT-23, TO-89, смотри подробней справочник по корпусам транзисторов.
Если смотреть с лицевой стороны: эммиттер слева, база посредине, а коллектор справа, но у китайских фирм может отличаться.
Маркировка в упаковке TO-92 наносится на фронтальную часть полупроводника в полном виде
Комплементарной парой для 2N5401 является биполярный транзистор c n-p-n-структурой 2N5551 или 2N5550.
Технические параметры и характеристики 2N5401
Перед нами высокочастотный биполярный транзистор, с неплохими техническими параметрами. Рассмотрим их более подробно. Но учтите у разных производителей характеристики могут немного отличатся друг от друга, уточняйте параметры в datasheet
Максимальные значения параметров 2N5401:
Напряжение между: К-Э переходом до минус 160 В;
К-Б до минус 40 В;
Э-Б до -150 В
Предельное напряжение между эмиттером и базой — 6 В
граничная частота 300 МГц
Коэффициент усиления по току 60 … 240
Постоянный (предельный ток коллектора (IC) – 600 мА
Наибольшая частота коэффициента передачи тока 100 МГц
рассеиваемая мощность до 625 мВт
температура p-n-перехода до 150°СC
Электрические параметры указываются в Datasheet в отдельной таблице ниже:
Тепловые характеристики из справочника показывают, на какую температуру транзистор способен нагреться при заданной рассеиваемой мощности. Они влияют на надежность работы в схемах, ведь при превышении максимума температуры устройство сгорит. Эти значения крайне важны также, при выборе размеров теплоотвода.
Аналоги 2N5401
Импортные с близкими параметрами: 2N5400, ECG288, MMBT5401, MPSA92, MPSA93, MPSL51, BF491, ECG288, 2SB646, 2SB646A, 2SA637, 2SB647, 2SB647A, 2SA638, BC526A, BC404VI, 2SA1015, 2SA709
Отечественные варианты с похожими техническими свойствами: КТ6116А, КТ502Е или КТ698К
Как проверить 2N5401 мультиметром
Из измерительного оборудования для проверки полупроводникового компонента 2N5401 нам потребуется только обычный мультиметр, который необходимо переключить в режим омметра или в режим проверки диодов.
Проверка биполярных приборов основана на том, что они имеют два n-p перехода, поэтому 2N5401 можно представить как два диода, общий вывод которых – база. Для n-p-n структуры эти два эквивалентных диода соединены с базой анодами, а для p-n-p катодами. Устройство считается исправным, если исправны оба перехода.
При работе с транзистором придерживайтесь следующих мер безопасности: Не эксплуатируйте его с напряжением выше 20 Вольт и нагрузкой более 700 мА; Используйте подходящий базовый резистор, ограничивающий ток базы до требуемого значения из справочника; Не подвергайте его нагреву свыше 150 градусов по Цельсию, чтоб не вывести радиокомпонент из строя.
Использование 2N5401 в радиолюбительской практике
Данный биполярный элемент очень популярен для применении в учебных целях. Если Вы начинающий радиолюбитель, то можете повторить на этом транзисторе простую схему аудиоусилителя. Пошаговую инструкцию по её сборке можно посмотреть в видео руководстве ниже:
Как сделать простую лазерную охранную систему:
Содержание драгоценных металлов 2N5401
Из datasheet приводится точная масса содержания драгметаллов на один полупроводниковый компонент: золота, серебра, платины и металлов платиновой группы (МПГ) на единицу изделия в граммах. Золото : 0, Серебро : 0, Платина : 0, МПГ : 0
