Транзистор 2N3055Полупроводниковый прибор 2N3055 является мощным биполярным транзистор n-p-n структуры, который используются в различных электронных схемах: в источниках питания, в схемах переключения в аудио устройствах, и т.п. В данной статье приведены его основные технические характеристики и параметры из справочной документации фирмы Semiconductor.
Многие радиолюбители слышали о 2N3055 серии полупроводников только хорошее, поскольку он часто встречается в различных паяльных самоделках, а его основной вариант исполнения в металлическом корпусе просто идеален для рассеивания большого тепла, особенно в паре с радиатором.
Распиновка транзистора 2N3055 в его наиболее часто встречающимся варианте в металлическом исполнении: корпусом является коллектором, а два оставшихся вывода – соответственно база и эмиттер, смотри рисунок выше. Транзистор 2N3055 выпускается и в плоском корпусе (TO-218 и TO-247), который обычно используют в паре с радиатором. Здесь в отличие от полностью металлического варианта исполнения, рассеиваемая мощность будет несколько ниже, 90 ватт против 115 ватт. Аналоги 2N3055: при необходимости, этот радио компонент можно заменить на отечественный транзистор 2Т808А Комплементарной парой для биполярника n-p-n структуры 2N3055 является мощный транзистор MJ2955. Он имеет такие же характеристики, но p-n-p внутреннюю структуру. Основные технические параметры 2N3055 Напряжение между коллектором и эмиттером Uкэ : 60В
Uколлектор-база, не более: 100 В Uэмиттер-база, не более: 7 V Ток коллектора в непрерывном режиме : 15А Обратное напряжение база-эмиттер: 7В Напряжение база-эмиттер Uбэ (Iк = 4A, Vкэ = 4В): 1,5В Коэффициент усиления по току: 20-70 (при Iк = 4А) Полоса пропускания (частота перехода): 2,5 МГц Рассеиваемая мощность при Uкэ = 30В: 115 Вт Рабочая температура: от -50 ° С до + 200 ° C
Универсальное транзисторное зарядное устройство В этой конструкции зарядный ток аккумулятора автоматически ограничивается уровнем в 4.2A. Если напряжение на резисторе R1 (ток 4A через него) составляет 600mV, то первый транзистор начинает отпираться. Избыточный ток заряда блокируется, т.к базовое напряжение мощных биполярных транзисторов делается ограниченным. Разница между приложенным нагрузочным током (в коллекторе T4) и реальным напряжением аккумулятора сбалансировано через коллектор-эмиттер транзистора 2N3055. Регулируемый блок питания 0-50 Вольт с током нагрузки 3АВ качестве выходного силового транзистора используется 2N3055. Трансформатор питания должен иметь выходное напряжение не менее 45 В и максимальный выходной ток не менее 3-4 А. Резисторы R1 R2 применяются в роли датчика перегрузки по току, которые совместно с транзисторами TR1 TR2 обеспечивают защиту от перегрузок, а кнопка сброс позволяет перевести вошедший в защиту блок питания в рабочий режим. Светодиод LED2 — сигнализирует об перегрузке.
Биполярный транзистор состоит из двух P-N переходов. Его выводы называются, как эммитер, база и коллектор. Слой, который посередине, называется базой. Эммитер и коллектор находятся по краям. В P-N-P транзисторе в классической схеме включения ток втекает в эммитер и собирается в коллекторе. А ток базы регулирует ток в коллекторе. Не будем на этом подробно останавливаться, если у вас и возникло желание разобраться с работой, то вы можете посмотреть соответствующую лекцию.
Номинальное питающее напряжение схемы УНЧ составляет 50В, но эта конструкция жизнеспособна и при напряжении питания от 30 до 60В. Максимальное входное напряжение примерно от 0.8 — 1В. Вместо указанных транзисторов можно применить другие близкие по data sheet, N-P-N- проводимости. Выходная мощность усилителя 60Вт при напряжении питания +50В. Схема является усилителем низкой частоты класса B, это означает, что определенный ток проходит через выходные транзисторы, даже если нет никакого сигнала на входе (ток покоя). Ток покоя может быть настроен подстроечным сопротивлением (500 ом). Необходимо оптимально настроить ток покоя, так как от этого зависит температурный режим выходных полупроводников и искажение выходного сигнала.
Данное устройство, которое легко собрать своими руками, позволит проверить биполярные полупроводниковые приборы абсолютно любой проводимости, не выпаивая иx из схемы. |
|