НЧ Транзисторы большой мощности
|
|
 |
Тип
транзистора |
Прово-
димость |
Предельные значения
параметров при Т=25°С |
Значения параметров
при Т=25°С |
Тк.макс.
°С |
Корпус |
Uкэ.мах
(Uкэ.и.мах.)
В |
Iк.мах.
(Iк.и.мах.)
А |
Рк.мах.
(Рк.и.мах.)
Вт |
fгр.
мГц |
h21Э
|
Uкэ.нас.
(Uбэ.нас.)
В |
Iк.обр.
(Iэ.обр.)
мА |
| 1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
10 |
11 |
| ГТ701А |
p-n-p |
100 (140) |
12 |
50 (1200) |
0,05 |
і 50 |
- |
6 |
-55...+70 |
|
| 1Т702А |
p-n-p |
60 |
30 |
150 |
0,01 |
15...100 |
0,6 |
12 (2,0) |
-60...+70 |
|
| 1Т702Б |
p-n-p |
60 |
30 |
150 |
0,01 |
15...100 |
1,2 |
12 (2,0) |
-60...+70 |
|
| 1Т702В |
p-n-p |
40 |
30 |
150 |
0,01 |
і 20 |
0,6 |
12 (2,0) |
-60...+70 |
|
| ГТ703А |
p-n-p |
20 (25) |
3,5 |
15 |
0,01 |
30...70 |
0,6 (1,0) |
0,5 (0,5) |
-40...+55 |
|
| ГТ703Б |
p-n-p |
20 (25) |
3,5 |
15 |
0,01 |
50...100 |
0,6 (1,0) |
0,5 (0,5) |
-40...+55 |
|
| ГТ703В |
p-n-p |
30 (35) |
3,5 |
15 |
0,01 |
30...70 |
0,6 (1,0) |
0,5 (0,5) |
-40...+55 |
|
| ГТ703Г |
p-n-p |
30 (35) |
3,5 |
15 |
0,01 |
50...100 |
0,6 (1,0) |
0,5 (0,5) |
-40...+55 |
|
| ГТ703Д |
p-n-p |
40 (50) |
3,5 |
15 |
0,01 |
20...45 |
0,6 (1,0) |
0,5 (0,5) |
-40...+55 |
|
| ГТ705А |
n-p-n |
20 (25) |
3,5 |
15 |
0,01 |
30...70 |
1,0 (2,0) |
0,5 (0,3) |
-40...+55 |
|
| ГТ705Б |
n-p-n |
20 (25) |
3,5 |
15 |
0,01 |
50...100 |
1,0 (2,0) |
0,5 (0,3) |
-40...+55 |
|
| ГТ705В |
n-p-n |
30 (35) |
3,5 |
15 |
0,01 |
30...70 |
1,0 (2,0) |
0,5 (0,3) |
-40...+55 |
|
| ГТ705Г |
n-p-n |
30 (35) |
3,5 |
15 |
0,01 |
50...100 |
1,0 (2,0) |
0,5 (0,3) |
-40...+55 |
|
| ГТ705Д |
n-p-n |
20 (25) |
3,5 |
15 |
0,01 |
90...250 |
1,0 (2,0) |
0,5 (0,3) |
-40...+55 |
|
| ГТ806А |
p-n-p |
75 |
15 (25) |
30 |
10 |
10...100 |
0,6 (1,0) |
15 (5,0) |
-55...+55 |
|
| ГТ806Б |
p-n-p |
100 |
15 (25) |
30 |
10 |
10...100 |
0,6 (1,0) |
15 (5,0) |
-55...+55 |
|
| ГТ806В |
p-n-p |
120 |
15 (25) |
30 |
10 |
10...100 |
0,6 (1,0) |
15 (5,0) |
-55...+55 |
|
| ГТ806Г |
p-n-p |
50 |
15 (25) |
30 |
10 |
10...100 |
0,6 (1,0) |
15 (5,0) |
-55...+55 |
|
| ГТ806Д |
p-n-p |
140 |
15 (25) |
30 |
10 |
10...100 |
0,6 (1,0) |
15 (5,0) |
-55...+55 |
|
| 1Т806А |
p-n-p |
75 |
20 (25) |
30 |
10 |
10...100 |
0,6 (0,8) |
12 (5,0) |
-60...+70 |
|
| 1Т806Б |
p-n-p |
100 |
20 (25) |
30 |
10 |
10...100 |
0,6 (0,8) |
12 (5,0) |
-60...+70 |
|
| 1Т806В |
p-n-p |
120 |
20 (25) |
30 |
10 |
10...100 |
0,6 (0,8) |
12 (5,0) |
-60...+70 |
|
| ГТ810А |
p-n-p |
200 (250) |
10 (10) |
15 |
5 |
і 15 |
0,7 (0,8) |
20 (15) |
-50...+55 |
|
| 1Т813А |
p-n-p |
100 |
30 (40) |
50 |
- |
10...60 |
0,8 (0,8) |
16 (40) |
-60...+70 |
|
| 1Т813Б |
p-n-p |
125 |
30 (40) |
50 |
- |
10...60 |
0,8 (0,8) |
16 (40) |
-60...+70 |
|
| 1Т813В |
p-n-p |
150 |
30 (40) |
50 |
- |
10...60 |
0,8 (0,8) |
16 (40) |
-60...+70 |
|
Отечественные СВЧ транзисторы часть 3
 |
Типы корпусов отечественных транзисторов |
|
|
|
