Полевой транзистор IRF640 справочникN-канальный, мощный MOSFET используется в в системах управления электроприводами и реле, так как он обладает высокой скоростью переключения. Также его можно заметить в импульсных источниках питания современных телевизоров, мониторов и ноутбуков.
Этот N-канальный полевой транзистор изготавливается в пластиковом корпусе типа TO-220, с тремя металлическими выводами. Транзистор выпускается зарубежом, как минимум этими фирмами производителями электронных компонентов: STMicroelectronics, Fairchild Semiconductor, International Rectifier, Suntac Electronic Corp, Dc Components, Comset Semiconductor, Nell Semiconductor, ARTSCHIP ELECTRONICS, NXP Semiconductors, Inchange Semiconductor Company Limited, Weitron Technology. По ссылке выше вы сможете скачать сборник datasheet на полевой MOSFET IRF640, от многих выпускающих его компаний, а также посмотреть его подробные параметры и технические характеристики, в удобном для просмотра справочной документации, формате PDF.
Цоколевка IRF640 выполнена в типовом пластиковом корпусе ТО-220АВ. Маркировка наносится непосредственно на него, его размеры приведены в справочнике, по ссылке выше. 
Если смотреть на лицевую часть прибора, то слева вывод затвора, посредине — стока; и справа пин — истока. Максимальные параметры IRF640 При выборе MOSFET,а в первую очередь смотрите максимально допустимый ток стока. Для нашего экземпляра он составляет 18 А. Если данный справочный параметр превысит допустимое значение полевой транзистор сгорит. Еще одним важнейшим параметром является напряжение между стоком и истоком. Если оно будет больше полупроводник выйдет из строя. Рабочая температура: от -55°С до +150°С
Предельная рассеиваемая мощность при температуре +25°С: 125 Вт Максимальное напряжение сток-исток: 200 В -.-.-.- затвор-исток: 20 В Максимальная температура кристалла: +300°С Максимальный ток через сток (напряжение затвор-исток 10 В): 18 А Наибольший пиковый ток стока: 72 А Еще стоит обращать внимание на основные электрические и динамические характеристики, касаемо данного экземпляра транзистора: 
При монтаже Мосфита, следует помнить про его повышенную чувствительность к перегреву. Существует также незначительная вероятность его пробоя статическим электричеством. Поэтому при пайке схем необходимо пользоваться паяльником с регулировкой температуры и заземлением. Максимальная температура жала не должна быть более 300 градусов по Цельсию. Аналогами MOSFET являются отечественные приборы КП750А и КП640 и зарубежные полевики 2SK2136, 2SK2521-01, 2SK3111, BUZ31, FQA19N20C, FQP19N20C, PHP18NQ20T, STP19NB20.
Для проверки полевых транзисторов N-канального типа структуры МДП необходимо переключить мультиметр в режим проверки диодов , черный минусовой щуп необходимо установить слева на подложку (D - сток), красный плюсовой на дальний от себя вывод справа (S - исток), мультиметр показывает падение напряжения на внутреннем диоде , полевой транзистор закрыт. Затем, не отпуская черного щупа, касаемся красным щупом ближнего вывода (G - затвор) и опять соеденяем его с дальним (S - исток), мультиметр показывает 0 мВ (на некоторых цифровых мультиметрах будет показываться 150...170 мВ), полевой транзистор открылся прикосновением
Схема простого индукционного нагревателя на двух полевых транзисторах типа IRF640. В видео инструкции показана работа, осциллограммы и некоторые нюансы с радиокомпонентами: Собираем схему аудио усилителя на данном полевике: |
  |
