N-канальный с индуцированным затвором мощный полевой транзистор изготовленный по HEXFET технологии пятого поколения, встречается довольно часто в современной электронной технике. Его можно заметить во многих радиолюбительских схемах, где актуальна быстрая скорость переключений и минимальное сопротивление кремниевого открытого канала. IRFP064N используют во многих электронных устройствах, в том числе - импульсные источники питания и схемы управления электромоторами.
Транзистор выпускается зарубежом, как минимум этими фирмами производителями электронных компонентов: Vishay, Kersemi Electronic, Inchange Semiconductor Company Limited.
По ссылке выше вы сможете скачать datasheet на полевой MOSFET транзистор IRFP064N, а также посмотреть его подробные параметры и технические характеристики, в удобном для просмотра справочной документации, формате PDF.
Цоколевка и распиновка IRFP064N справочник
Компании выпускающие этот радио компонент, оснащают его внушительным пластиковым корпусом ТО-247 (ТО-247AC) для монтажа в отверстия печатной платы, с встроенным теплоотводом так как полевой транзистор обладает достаточно большой мощностью и в менее габаритный корпусе его разметить проблематично. Мосфит имеет три жестких металлических контакта: слева первый — затвор (Gate), посередине второй — сток (Drain)и справа третий — исток (Source).
В радиаторе имеется специальное отверстие для крепления устройства на печатную плату и физический контакт с выводом стока. Между стоком и истоком располагается паразитный диод, характерный для всех MOSFET данного типа, т.к от него пока не могут избавится при изготовлении элемента. Технические параметры этого диода (Body Diode) указаны в datasheet: Source-Drain Ratings and Characterictics - характеристики диода,находящегося между истоком-стоком.
Наименование полупроводникового устройства, наносится обычно прямо на переднюю часть.
Технические параметры и характеристики IRFP064N
Перед нами полевой транзистор, с отличными техническими параметрами. Он обладает чрезвычайно низким сопротивлением кремниевого канала, в сочетании с высокой скоростью переключения и огромной мощностью.
Максимальные значения характеристик IRFP064N из datasheet:
максимальная температура кристалла до +175 °C
отпирающее напряжение между затвором и истоком (VGS) ±20 В;
максимальное допустимое напряжение между стоком и истоком (VDS) — 55 В
время пайки не более 10 секунд (на 1,6 мм от корпуса), при Т не более 300 °C
ток стока постоянный – 110 А;
максимальный пиковый неповторяющийся ток, допустимый в лавинных условиях (IAR) – 59 А
максимально допустимый пиковый (импульсный) ток стока (IDМ) — 390 А;
сопротивление открытого канала – 0.07 Ом;
рассеиваемая мощность (PD) до 200 Вт;
предельно допустимая неповторяющаяся энергия, которая может быть рассеяна в условиях лавинного пробоя (EAR) – 20 мДж.
наибольший импульс на восстанавливающемся диоде dv/dt – 5 В/нс;
Превышение этих параметров или длительная эксплуатация в максимальных режимах приведет к гарантированному выходу транзистора из строя.
Основные параметры полевого транзистора даны в таблице ниже:
Аналоги MOSFET IRFP064N
Импортным аналогом является полупроводниковый прибор HUF75343G3, HUF75344G3
Частично подходящими по параметрам (читайте внимательно DataSheet перед заменой): IRFP064 (SiHFP064), IRFP064V, 2SK2745, 2SK2987, BUZ342, HUF75345G3, PSMN004, RFH75N05E, SSH80N06A, SSH90N06A, STW150NF55
Отечественных аналогов нот детектед.
Как проверить IRFP064N мультиметром
Для проверки полевых MOSFET N-канального типа структуры МДП необходимо переключить мультиметр в режим проверки диодов , черный минусовой щуп необходимо установить слева на подложку (D - сток), красный плюсовой на дальний от себя вывод справа (S - исток), мультиметр показывает падение напряжения на внутреннем диоде , полевой транзистор закрыт. Затем, не отпуская черного щупа, касаемся красным щупом ближнего вывода (G - затвор) и опять соеденяем его с дальним (S - исток), мультиметр показывает 0 мВ (на некоторых цифровых мультиметрах будет показываться 150...170 мВ), полевой транзистор открылся прикосновением.
Содержание драгоценных металлов IRFP064N
Приводится точная масса содержания драгметаллов: золота, серебра, платины и металлов платиновой группы (МПГ) на единицу изделия в граммах. Точная информация отсутствует: Золото : 0.0, Платина : 0, МПГ : 0
