N-канальный, мощный полевой транзистор изготовленный по HEXFET технологии пятого поколения с защитой от электростатических разрядов, встречается довольно часто в современных электронных устройствах. Его можно заметить во многих схемах, где актуальна быстрая скорость переключений и минимальное сопротивление кремниевого канала в открытом состоянии. IRFP260N используют во многих электронных устройствах, в том числе - импульсные источники питания и схемы управления электродвигателями .
Транзистор выпускается зарубежом, как минимум этими двумя компаниями:International Rectifier, Inchange Semiconductor.
По ссылке выше вы сможете скачать datasheet на полевой MOSFET транзистор IRFP260N, а также посмотреть его подробные параметры и технические характеристики, в удобном для просмотра справочной документации, формате PDF.
Цоколевка и распиновка IRFP260N справочник
Компании выпускающие этот радио компонент, оснащают его пластиковым корпусом ТО-247, с встроенным радиатором так как полевой транзистор обладает достаточно большой мощностью и в менее габаритный корпусе его разметить нет возможности. Мосфит имеет три жестких металлических контакта: слева первый — затвор (Gate), посередине второй — сток (Drain)и справа третий — исток (Source).
В радиаторе имеется специальное отверстие для крепления устройства на печатную плату и физический контакт с выводом стока.
Наименование полупроводникового устройства, наносится обычно прямо на переднюю часть.
Технические параметры и характеристики IRFP260N
Перед нами полевой транзистор, с отличными техническими параметрами. Он обладает чрезвычайно низким сопротивлением кремниевого канала, в сочетании с высокой скоростью переключения и огромной мощностью.
Максимальные значения характеристик IRFP260N из datasheet:
максимальная температура кристалла до +175 °C
отпирающее напряжение между затвором и истоком (VGS) ±20 В;
время пайки не более 10 секунд (на 1,6 мм от корпуса), при Т не более 300 °C
ток стока постоянный – 50 А;
пиковый неповторяющийся ток стока, допустимый в лавинных условиях – 50 А
максимально допустимый пиковый (импульсный) ток стока (IDМ) — 200 А;
сопротивление открытого канала – 0.07 Ом;
рассеиваемая мощность (PD) до 300 Вт;
энергия единичного импульса (EAS) – 560 мДж
наибольший импульс на восстанавливающемся диоде dv/dt – 10 В/нс;
Превышение этих параметров или длительная эксплуатация в максимальных режимах приведет к гарантированному выходу транзистора из строя.
Основные параметры полевого транзистора даны в таблице ниже:
Аналоги MOSFET IRFP260N
Импортным аналогом является полупроводниковый прибор STW40N20
Отечественных аналогов нот детектед.
Как проверить IRFP260N мультиметром
Для проверки полевых MOSFET N-канального типа структуры МДП необходимо переключить мультиметр в режим проверки диодов , черный минусовой щуп необходимо установить слева на подложку (D - сток), красный плюсовой на дальний от себя вывод справа (S - исток), мультиметр показывает падение напряжения на внутреннем диоде , полевой транзистор закрыт. Затем, не отпуская черного щупа, касаемся красным щупом ближнего вывода (G - затвор) и опять соеденяем его с дальним (S - исток), мультиметр показывает 0 мВ (на некоторых цифровых мультиметрах будет показываться 150...170 мВ), полевой транзистор открылся прикосновением.
Содержание драгоценных металлов IRFP260N
Приводится точная масса содержания драгметаллов: золота, серебра, платины и металлов платиновой группы (МПГ) на единицу изделия в граммах. Точная информация отсутствует: Золото : 0.0, Платина : 0, МПГ : 0
