N-канальный, мощный MOSFET полевой транзистор с защитой от электростатических разрядов, встречается довольно часто в современных электронных устройствах. Его можно заметить во многих радиосхемах, где актуальна быстрая скорость переключений и минимальное сопротивление в открытом состоянии. IRFZ24N чаще всего используют в импульсных источниках питания и схемах управления электроприводами.
Транзистор массово выпускается зарубежом, огромным числом компаний: Inchange Semiconductor, International Rectifier, TRANSYS Electronics, Philips Semiconductors, ARTSCHIP ELECTRONICS, Kersemi Electronic, NXP Semiconductors и многие другие.
По ссылке выше вы сможете скачать datasheet на полевой MOSFET транзистор IRFZ24N, а также посмотреть его подробные параметры и технические характеристики, в удобном для просмотра справочной документации, формате PDF.
Цоколевка и распиновка IRFZ24N справочник
Почти все фирмы выпускающие этот компонент, оснащают его пластиковым корпусом ТО-220АВ, с встроенным радиатором. Мосфит имеет три жестких металлических контакта: слева — затвор (Gate), посередине — сток (Drain), справа — исток (Source).
Теплоотвод имеет специальное отверстие для крепления устройства на печатную плату и физический контакт с выводом стока.
Наименование, наносится обычно прямо на переднюю часть.
Технические параметры и характеристики IRFZ24N
Перед нами полупроводниковый прибор, с неплохими техническими параметрами. Рассмотрим его более подробно.
Максимальные значения характеристик IRFZ24N из datasheet:
максимальная температура кристалла (TC) до +175 °C
напряжение между выводами стока-истока (VDS ) — 55 В
отпирающее напряжение между затвором и истоком (VGS) ±20 В;
время пайки не более 10 секунд (на 1,6 мм от корпуса), при Т не более 300 °C
ток стока (ID) импульсный (IDM) – 68 А;
пиковый неповторяющийся ток, допустимый в лавинных условиях – 10 А
сопротивление открытого канала – 0.07 Ом;
рассеиваемая мощность (PD) до 45 Вт;
энергия единичного импульса (EAS) – 71 мДж
Превышение этих параметров или длительная эксплуатация в максимальных режимах приведет к гарантированному выходу транзистора из строя.
Основные параметры полевого транзистора даны в таблице ниже:
Аналоги MOSFET IRFZ24N
Импортным полным аналогом является полупроводниковый прибор STB140NF55
Варианты с близкими техническими характеристиками: 2SK1114, BUZ10, BUZ101, BUZ101S, BUZ104, BUZ104S, HUF75307P3, HUF75309P3, IRFZ24A, MTP15N06V, MTP20N06V, RFP14N05, RFP14N06, RFP15N06, SFP16N06, STP140NF55, STP16NE06, STP20N06, STPNE06, STP20NF06, 2SK2311, IRFIZ24A, 2SK2311, IRFWZ24A, STB16NF06LT
используйте их только после ознакомления с информацией из Datasheet.
Отечественных аналогов нет.
Как проверить IRFZ24N мультиметром
Для проверки полевых MOSFET N-канального типа структуры МДП необходимо переключить мультиметр в режим проверки диодов , черный минусовой щуп необходимо установить слева на подложку (D - сток), красный плюсовой на дальний от себя вывод справа (S - исток), мультиметр показывает падение напряжения на внутреннем диоде , полевой транзистор закрыт. Затем, не отпуская черного щупа, касаемся красным щупом ближнего вывода (G - затвор) и опять соеденяем его с дальним (S - исток), мультиметр показывает 0 мВ (на некоторых цифровых мультиметрах будет показываться 150...170 мВ), полевой транзистор открылся прикосновением.
Содержание драгоценных металлов IRFZ24N
Приводится точная масса содержания драгметаллов: золота, серебра, платины и металлов платиновой группы (МПГ) на единицу изделия в граммах. Золото : 0.0, Платина : 0, МПГ : 0
