N-канальный, мощный MOSFET полевой транзистор с изолированным затвором встречается довольно часто в радиоэлектронике. Его можно встретить во многих схемах, где актуальна быстрая скорость переключений и минимальное сопротивление в открытом состоянии. IRF520 чаще всего встречается в импульсных источниках питания, схемах управления электродвигателями, бесперебойниках.
Транзистор массово выпускается зарубежом, огромным числом компаний: Fairchild Semiconductor, STMicroelectronics, Harris Company, Inchange Semiconductor, Intersil Corporation и многие другие.
По ссылке выше вы сможете скачать datasheet на полевой MOSFET транзистор IRF520, а также посмотреть его подробные параметры и технические характеристики, в удобном для просмотра справочной документации, формате PDF.
Цоколевка и распиновка IRF520 справочник
Почти все фирмы выпускающие этот компонент, оснащают его пластиковым корпусом ТО-220АВ, с встроенным радиатором. Мосфит имеет три жестких металлических контакта: слева — затвор (Gate), посередине — сток (Drain), справа — исток (Source).
Наименование, наносится обычно прямо на переднюю часть.
Технические параметры и характеристики IRF520
Перед нами полупроводниковый прибор, с неплохими техническими параметрами. Рассмотрим его более подробно.
Максимальные значения характеристик IRF520 из datasheet:
максимальная температура кристалла (TC) до +175 °C
напряжение между выводами стока-истока (VDS ) — 100 В
отпирающее напряжение между затвором и истоком (VGS) ±20 В;
время пайки не более 10 секунд (на 1,6 мм от корпуса), при Т не более 300 °C
ток стока (ID): при TC до +25ОС – 9.2 А;
при TC до +100ОС – 6.5 А;
импульсный (IDM) – 37 А;
сопротивление открытого канала – 0.27 Ом;
рассеиваемая мощность (PD) до 60 Вт;
энергия единичного импульса (EAS) – 4.3 мДж
Превышение этих параметров или длительная эксплуатация в максимальных режимах приведет к гарантированному выходу транзистора из строя.
Основные параметры полевого транзистора даны в таблице ниже:
Аналоги MOSFET IRF520
Импортным полным аналогом является полупроводниковый прибор SiHF520, irf520PbF, BUZ20B, D84CL2, IRF120, MTP8N08, MTP8N10, RCA9212A
Варианты с близкими техническими характеристиками: STP14NF12, RPF12N08, 2SK2399 используйте их только после ознакомления с информацией из Datasheet.
Близкий отечественный аналог КП520 и КП744А, но далеко не по всем свойствам.
Как проверить IRF520 мультиметром
Для проверки полевых MOSFET N-канального типа структуры МДП необходимо переключить мультиметр в режим проверки диодов , черный минусовой щуп необходимо установить слева на подложку (D - сток), красный плюсовой на дальний от себя вывод справа (S - исток), мультиметр показывает падение напряжения на внутреннем диоде , полевой транзистор закрыт. Затем, не отпуская черного щупа, касаемся красным щупом ближнего вывода (G - затвор) и опять соеденяем его с дальним (S - исток), мультиметр показывает 0 мВ (на некоторых цифровых мультиметрах будет показываться 150...170 мВ), полевой транзистор открылся прикосновением.
Применение MOSFET IRF520 в электронных самоделках
Mosfet Модуль IRF520 и ESP 8266. ШИМ управление двигателем или светом
Содержание драгоценных металлов IRF520
Приводится точная масса содержания драгметаллов: золота, серебра, платины и металлов платиновой группы (МПГ) на единицу изделия в граммах. Золото : 0.0, Платина : 0, МПГ : 0
