Полевой транзистор IRF510 справочник
N-канальный, мощный MOSFET полевой транзистор с изолированным затвором встречается довольно часто в радиоэлектронике. Его можно встретить во многих схемах, где важна высокая скорость переключений и минимальное сопротивление в открытом состоянии. Он незаменим в импульсных источниках питания, приборах управления электродвигателями, бесперебойниках.
Транзистор массово выпускается зарубежом, огромным числом компаний: Fairchild Semiconductor, STMicroelectronics, Harris Company, Inchange Semiconductor, Intersil Corporation и многие другие.
По ссылке выше вы сможете скачать datasheet на полевой MOSFET транзистор IRF510, а также посмотреть его подробные параметры и технические характеристики, в удобном для просмотра справочной документации, формате PDF.
 |
Цоколевка и распиновка IRF510 справочник |
|
Почти все фирмы выпускающие этот компонент, оснащают его пластиковым корпусом ТО-220АВ, с встроенным теплоотводом. Мосфит имеет три жестких металлических контакта: слева — затвор (G), посередине — сток (D), справа — исток (S).
Наименование, наносится обычно прямо на переднюю часть.
|
Технические параметры и характеристики IRF510 |
|
Перед нами полупроводниковый прибор, с неплохими техническими параметрами. Рассмотрим его более подробно.
Максимальные значения характеристик IRF510 из datasheet:
максимальная температура кристалла (TC) до +175 °C
напряжение между выводами стока-истока (VDS ) — 100 В
отпирающее напряжение между затвором и истоком (VGS) ±20 В;
время пайки не более 10 секунд (на 1,6 мм от корпуса), при Т не более 300 °C
ток стока (ID): при TC до +25ОС – 5.6 А;
при TC до +100ОС – 4.0 А;
импульсный (IDM) – 20 А;
пиковый, в лавинных условиях (IAR) – 6 А;
рассеиваемая мощность (PD) до 43 Вт;
возможный импульс на восстанавливающемся диоде dv/dt – 5.0 В/нс
энергия единичного импульса (EAS) – 4.3 мДж
Превышение этих параметров или длительная эксплуатация в максимальных режимах приведет к гарантированному выходу транзистора из строя.
Основные параметры полевого транзистора даны в таблице ниже:
|
Аналоги MOSFET IRF510 |
|
Импортным полным аналогом является полупроводниковый прибор SiHF510
Варианты с близкими характеристиками: 2SK2399, PHP6N10E, RFP2N08, STP7NE10
Близкий отечественный аналог КП510 и КП743А
|
Как проверить IRF510 мультиметром |
|
Для проверки полевых MOSFET N-канального типа структуры МДП необходимо переключить мультиметр в режим проверки диодов , черный минусовой щуп необходимо установить слева на подложку (D - сток), красный плюсовой на дальний от себя вывод справа (S - исток), мультиметр показывает падение напряжения на внутреннем диоде , полевой транзистор закрыт. Затем, не отпуская черного щупа, касаемся красным щупом ближнего вывода (G - затвор) и опять соеденяем его с дальним (S - исток), мультиметр показывает 0 мВ (на некоторых цифровых мультиметрах будет показываться 150...170 мВ), полевой транзистор открылся прикосновением.
|
Содержание драгоценных металлов IRF510 |
|
Приводится точная масса содержания драгметаллов: золота, серебра, платины и металлов платиновой группы (МПГ) на единицу изделия в граммах. Золото : 0.0, Платина : 0, МПГ : 0
|
