Биполярный транзистор КТ803А справочникДанный отечественный полупроводниковый прибор структуры n-p-n относится к низкочастотным транзисторам большой мощности, причем этот параметр доходит до уровня 60 ВТ. Он выпускается в металлическом корпусе КТЮ-3-20 . Способен пропустить через себя напряжение уровнем до 100 Вольт. Его активно применяют в схемах усилителей низкой частоты, импульсной технике и преобразователях.
Транзистор до сих пор выпускается на кремниевой основе по мезаэпитксиально-планарной технологии в России на Ульяновское заводе «Искра», со структурой n-p-n. По ссылке выше вы сможете скачать мини справочник на биполярный транзистор КТ803А, а также посмотреть его подробные параметры и технические характеристики.
Изготавливается в металлостеклянном корпусе КТЮ-3-20 с тремя жесткими выводами. Весит около 22 грамм. На рисунке ниже показаны геометрические размеры и расположение выводов. 
Коллекторный пин, соединен с металлическим корпусом. Комплементарной пары у данного типа транзистора не существует.
Максимальные значения параметров КТ803А: Напряжение между: К-Э переходом до 60В постоянное, в импульсе до 80В;
Э-Б до 4 В Коллекторный ток до 10А постоянный, в импульсе до 6А граничная частота до 20 МГц Базовый ток до 1 Ампера рассеиваемая мощность до 60 Вт температура p-n-перехода до 150°С коэффициент усиления H21Э до 70 Превышение этих параметров или длительная эксплуатация в максимальных режимах приведет к гарантированному выходу устройства из строя. 
Импортными вариантами с близкими параметрами можно считать следующие транзисторы: 2N1702, 2N3054A, 2N3055, 2N5067, 2N5068, 2N5069, 2SC44, 2SC493, 2SC521A, 2SC793, BDY23, BDY24, BUYP54, KD601, MJ480, MJ481. Полным отечественным аналогом можно считать вариант для военной и космической техники 2Т803А, можно взять также близкий по параметрам транзистор: КТ808А.
Из измерительного оборудования для проверки полупроводникового компонента КТ803А нам потребуется только обычный мультиметр, который необходимо переключить в режим омметра или в режим проверки диодов. Проверка биполярных приборов основана на том, что они имеют два n-p перехода, поэтому КТ803А можно представить как два диода, общий вывод которых – база. Для n-p-n структуры эти два эквивалентных диода соединены с базой анодами. Устройство считается исправным, если исправны оба перехода. При работе с транзистором придерживайтесь следующих мер безопасности: Не эксплуатируйте его с напряжением выше 20 Вольт и нагрузкой более 700 мА; Используйте подходящий базовый резистор, ограничивающий ток базы до требуемого значения из справочника; Не подвергайте его нагреву свыше 150 градусов по Цельсию, чтоб не вывести радиокомпонент из строя.
В современных справочниках на эту модель полупроводникового прибора можно найти следующую информацию: содержание золота — 0,02982гр., серебра — 0,154042гр. |
   |
