Биполярный транзистор КТ315Г

Данный n-p-n полупроводник относится к биполярным транзисторам высокочастотным небольшой мощности. Является самым лучшем по усиливающим параметрам в своей легендарной серии КТ315. Кроме того это был самый массовый транзистор выпускаемый в СССР с 1967 по 1991 годы, на данный момент морально устарел, хотя по некоторым данным он до сих пор выпускается ограниченными партиями в России и Белоруссии.
Радиоконструкторы на любой вкус

КТ315Г можно обнаружить практически в любой старой отечественной аудиотехнике, выпущенной до 1990 года. Тогда он был по настоящему легендарным: он мог пропускать огромный частотный диапазон, был способен выдержать большие уровни напряжений и поддержать высокий уровень статического коэффициент усиления по току параметр h21 на уровне до 350.

Первые бытовые приборы, содержащие полупроводники легендарки, начали выпускать в Союзе с 1968 году. Для своего времени он совершил огромный рывок в радиоэлектронной промышленности советской России.

По ссылке выше вы сможете скачать справочник на популярный кремниевый транзистор КТ315Г, а также посмотреть его подробные параметры и технические характеристики, в удобном для просмотра справочной документации, формате PDF.

Цоколевка и распиновка КТ315Г

В настоящее время он изготавливаются в пластиковом корпусе КТ-26, ТО-92, ну а легендарный вариант красного и желтого цвета изготавливался в корпусе КТ-13, смотри справочник по корпусам транзисторов.

Комплементарной парой КТ315Г является отечественный транзистор c p-n-p-структурой КТ361Г

Технические параметры и характеристики КТ315Г

Один из лучших экземпляров в серии транзисторов КТ315 по коэффициенту усиления H21 достигает 350. А способность пропускать через себя большое напряжение уровнем до 35 В делает его привлекательным для применения в разных радио схемах.

Максимальные значения параметров КТ315Г:


коллекторный ток 100 мА
предельное постоянное напряжение между переходами: К-Э до 35 В (при RБЭ =10 Ом); Б-Э до 6В;
мощность рассеивания до 150 мВт;
усиление по току H21 50-350
емкость коллекторного перехода менее 7 пФ;
тепловое сопротивление 0.67 °C/ мВт
температура которую способен выдержать кристалл без разрушения до +120 °C;

Предельная мощность рассеивания у КТ315Г, при UКБ=12.5 и IK= 20 мА, может доходить до 250 мВт

Остальные технические параметры устройства приводим в таблице ниже:

Аналоги КТ315Г

Из отечественного его проще всего заменить, более современным аналогом с меньшим уровнем шумов и большим коэффициентом усиления по току КТ3102Г или улучшенный вариант КТ315Г1. Из зарубежных транзисторов можно посмотреть в сторону следующих: 2SC380, 2SC388, 2SC634, 2SC641, BFP722.

Как проверить КТ315Г мультиметром

Из измерительного оборудования для проверки нам потребуется только обычный мультиметр, который необходимо переключить в режим омметра или в режим проверки диодов.

Проверка биполярных приборов основана на том, что они имеют два n-p перехода, поэтому КТ315Г можно представить как два диода, общий вывод которых – база. Для n-p-n структуры эти два эквивалентных диода соединены с базой анодами, а для p-n-p катодами. Устройство считается исправным, если исправны оба перехода.

Примеры практического использования КТ315Г из радиолюбительской практики

Для начала посмотрите видео с трубы: СЕКРЕТЫ и СВОЙСТВА КТ315 (По просьбам Зрителей):


Режимы работы КТ315Г в схеме с общим эммитером

Работу полупроводников принято анализировать с помощью вольт-амперных характеристик (ВАХ). На них можно посмотреть значений параметров, момент когда транзистор открывается или закрывается, когда идет усиление сигнала и т.п. На рисунке ниже представлены графики ВАХ для схемы включения КТ315Г с общим эмиттером.

Если прибор работает в роли транзисторного ключа, то в режим отсечки UБЭ не должно быть более 0.5 В. Токи IБ и IК незначительные, т.е. в первом приближении считаем, что их нет.

Для открытия или входа в режим насыщения потребуется поднять UБЭ с 0.6 до 0.8 Вольт. Этого достигают увеличением тока базы IБ максимум до 2 мА, снижая сопротивление RБ. При этом коллекторный ток резко возрастает до 100 мА, а UКЭ на p-n-переходе находится на уровне до 0.4 В.

В промежутке между открытым и закрытым состоянием КТ315Г и и используется по своему основному назначению, как усилитель слабых сигналов – активный режим.

Содержание драгоценных металлов КТ315Г

Из справочника приводится точная масса содержания драгметаллов на один транзистор: золота, серебра, платины и металлов платиновой группы (МПГ) на единицу изделия в граммах. Золото : 0,0000800, Серебро : 0, Платина : 0, МПГ : 0