Биполярный транзистор КТ819ГМДанный полупроводник относится к биполярным транзисторам низкочастотным большой мощности c кремниевой мезаэпитаксиально-планарной структурой n-p-n. Является на данный момент самым мощным полупроводником в своей серии.
Этот советский транзистор, выпускается до сих пор на пост советском пространстве. Он применяется в выходных усилительных каскадах устройств аудиотехники. Например, в очень известных советских усилителях тех добрых лет: Вега-10У-120С и Одиссей-У-010. Также он используется в блоках питания и стабилизаторах. По ссылке выше вы сможете скачать справочник на популярный кремниевый транзистор КТ819ГМ, а также посмотреть его подробные параметры и технические характеристики, в удобном для просмотра справочной документации формате PDF.
В настоящее время он изготавливаются в металлическом корпусе КТ-9(ТО-3), смотри справочник по корпусам транзисторов. 
Более мощный транзистор КТ819ГМ в металлостеклянном корпусе отличается от своих собратьев по серии не только внешним видом, но и другими более мощными параметрами. Вместо трех выводов у него всего два, со стеклянными вкладками: база и эмиттер. Коллекторным служит весь корпус прибора. Комплементарной парой КТ819ГМ является отечественный транзистор c p-n-p-структурой КТ818ГМ
Этот прибор является амым мощным транзистором в серии. У него махсимальная, по сравнению с другими, мощность рассеивания до 100 Вт, а величина пропускаемого через свои переходы напряжения доходит до 100 В. Но правда один из самых низких коэффициент усиления по току параметр H21Э до 12. Максимальные значения параметров КТ819ГМ: базовый ток: до 3А
ток в импульсе до 5А постоянное напряжение между: К-Б до 100В; К-Э до 5В мощность рассеиваемая на коллекторе: до 100Вт с теплоотводом; до 2Вт (без него) коллекторный ток: до 15А; импульсный до 20А температура которую способен выдержать кристалл без разрушения до 125 °C; Рассеиваемая мощность кристалла ограничена внутренней защитой, корпусным исполнением изделия и применением радиатора. Как хорошо заметно из справочной информации, предельная рассеваемая мощность заметно снижается если не использовать теплоотвод. Остальные технические параметры устройства приводим в таблице ниже: 
Полный: MJ15023, 2SC5200), TIP41.
Из измерительного оборудования для проверки нам потребуется только обычный мультиметр, который необходимо переключить в режим омметра или в режим проверки диодов. Проверка биполярных приборов основана на том, что они имеют два n-p перехода, поэтому КТ819ГМ можно представить как два диода, общий вывод которых – база. Для n-p-n структуры эти два эквивалентных диода соединены с базой анодами, а для p-n-p катодами. Устройство считается исправным, если исправны оба перехода.
Из справочника приводится точная масса содержания драгметаллов на один транзистор: золота, серебра, платины и металлов платиновой группы (МПГ) на единицу изделия в граммах. Золото : 0,009521, Серебро : 0,045371, Платина : 0, МПГ : 0 |
   |
