Биполярный транзистор КТ819ГДанный полупроводник относится к биполярным транзисторам низкочастотным большой мощности c кремниевой мезаэпитаксиально-планарной структурой n-p-n. Является одним из самым мощным полупроводником в своей серии.
Этот советской разработки транзистор, выпускается до сих пор в России и Белоруссии. Он применяется в выходных усилительных каскадах устройств аудиотехники. Например, в очень известных советских усилителях тех добрых времен: Вега-10У-120С и Одиссей-У-010. Также он часто применялся в блоках питания и стабилизаторах. По ссылке выше вы сможете скачать справочник на популярный кремниевый транзистор КТ819Г, а также посмотреть его подробные параметры и технические характеристики, в удобном для просмотра справочной документации формате PDF.
В настоящее время он изготавливаются в основном в пластиковом корпусе КТ-28(ТО-220) и недавно его стали выпускать в корпусе ТО-218 по западной классификации, смотри справочник по корпусам транзисторов. 
Металлические гибкие выводы если смотреть на лицевую часть транзистора идут слева на право – эммитер, коллектор и база. Причем коллектор имеет физический контакт с корпусом полупроводника. Комплементарной парой КТ819Г является отечественный транзистор c p-n-p-структурой КТ818Г
Этот прибор является практически самым мощным транзистором в серии, мощнее его только собрат в металлическом исполнении с литерами ГМ. У них махсимальная, по сравнению с другими, мощность рассеивания до 60 Вт (Г) и до 100 Вт (металлический собрат), а величина пропускаемого через свои переходы напряжения доходит до 100 В. Но правда один из самых низких коэффициент усиления по току параметр H21Э до 12. Максимальные значения параметров КТ819Г: базовый ток: до 3А
ток в импульсе до 5А постоянное напряжение между: К-Б до 60В; К-Э до 5В мощность рассеиваемая на коллекторе: до 100Вт с теплоотводом; до 2Вт (без него) коллекторный ток: до 10А; импульсный до 15А температура которую способен выдержать кристалл без разрушения до 125 °C; Рассеиваемая мощность кристалла ограничена внутренней защитой, корпусным исполнением изделия и применением радиатора. Как хорошо заметно из справочной информации, предельная рассеваемая мощность заметно снижается если не использовать теплоотвод. Остальные технические параметры устройства приводим в таблице ниже: 
Полный: MJ15023, 2SC5200), TIP41.
Из измерительного оборудования для проверки нам потребуется только обычный мультиметр, который необходимо переключить в режим омметра или в режим проверки диодов. Проверка биполярных приборов основана на том, что они имеют два n-p перехода, поэтому КТ819Г можно представить как два диода, общий вывод которых – база. Для n-p-n структуры эти два эквивалентных диода соединены с базой анодами, а для p-n-p катодами. Устройство считается исправным, если исправны оба перехода.
Усилитель мощности на транзисторе КТ819Г: 
Основное усиление по напряжению обеспечивает каскад на быстродействующем ОУ. Предоконечный каскад усилителя собран на VT1 - VT4. Эмиттерный повторитель, выполнен на транзисторе VT5 КТ819Г и VT6, работающих в режиме «В». Каждое плечо предоконечного каскада охвачено ООС глубиной 20 дБ. Напряжение ООС снимается с коллекторных нагрузок VT3, VT4 и через делители R11R14 и R12R15 следует в эмиттерные цепи VT1, VT2. Частотная коррекция и устойчивость по ООС обеспечивается С10, С11. Резисторы R13, R16 и R19, R20 ограничивают максимальные токи каскадов усилителя при коротком замыкании нагрузки. При любых перегрузках максимальный ток транзисторов VT5 КТ819Г, VT6 не более 3,5-4 А, причем в этом случае они не перегреваются, так как успевают сгореть предохранители FU1 и FU2 и отключить питание схемы. Снижение коэффициента гармоник достигается введением глубокой ООС, напряжение которой снимается с выхода усилителя и через делитель С3С5R3R4 следует на инвертирующий вход ОУ DA1. С5 корректирует АЧХ по цепи ООС.
В приборах до 1992 г выпуска: Согласно данным из справочных этикеток, на единицу КТ819Г находиться около: Золото : 0 Серебро : 0,0407522 Платина : 0, МПГ : 0. |
   |
