Полевой транзистор IRF630 справочникN-канальный, MOSFET полевой транзистор используется в источниках вторичного электропитания, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и регуляторах напряжения и других радиолюбительских схемах и конструкциях. Их также можно часто увидеть в схемах развертки кинескопных мониторах и телевизорах.
Этот N-канальный полевой транзистор изготавливается в пластиковом корпусе типа TO-220, с тремя металлическими выводами. Транзистор выпускается зарубежом, как минимум этими фирмами производителями электронных компонентов: International Rectifier, STMicroelectronics, Advanced Power Electronics Corp.,INCHANGE Semiconductor, HI-SINCERITYMICROELECTRONICS CORP., NJ Semi-Conductor, FAIRCHILD SEMICONDUCTOR, VISHAY. По ссылке выше вы сможете скачать datasheet на полевой MOSFET IRF630, а также посмотреть его подробные параметры и технические характеристики, в удобном для просмотра справочной документации, формате PDF.
Цоколевка IRF630 выполнена в типовом пластиковом корпусе ТО-220АВ. Маркировка наносится непосредственно на него, его размеры приведены в справочнике, по ссылке выше. 
Если смотреть на лицевую часть прибора, то слева вывод затвора, посредине — стока; и справа пин — истока. Основные технические параметры IRF630 При выборе MOSFET,а в первую очередь смотрите максимально допустимый ток стока. Для нашего экземпляра он составляет 9 А. Если данный справочный параметр превысит допустимое значение полупроводник выйдет из строя. Еще одним важнейшим параметром является напряжение между стоком и истоком. Если оно будет больше транзистор сгорит. 
Еще стоит обращать внимание на основные электрические характеристики, касаемо данного экземпляра: Заряд затвора — 23,3 нКл
Пороговое напряжение включения — 4 В Минимальное сопротивления открытого канала — 0,4 Ом Емкость затвора — 700 пФ При монтаже радиокомпонента, следует помнить про его повышенную чувствительность к перегреву. Существует также незначительная вероятность его пробоя статическим электричеством. Поэтому при пйке схем необходимо пользоваться паяльником с регулировкой температуры и заземлением. Максимальная температура жала не должна превышать 300 градусов. Аналогами MOSFET являются отечественные приборы КП630, КП737А и зарубежный мосфит IRF510
Для проверки полевых транзисторов N-канального типа структуры МДП необходимо переключить мультиметр в режим проверки диодов , черный минусовой щуп необходимо установить слева на подложку (D - сток), красный плюсовой на дальний от себя вывод справа (S - исток), мультиметр показывает падение напряжения на внутреннем диоде , полевой транзистор закрыт. Затем, не отпуская черного щупа, касаемся красным щупом ближнего вывода (G - затвор) и опять соеденяем его с дальним (S - исток), мультиметр показывает 0 мВ (на некоторых цифровых мультиметрах будет показываться 150...170 мВ), полевой транзистор открылся прикосновением
,Автомат полива растений на базе нашего радиокомпонента: 
Сухой грунт имеет высокое сопротивление, тем самым, повышая напряжение на затворе полупроводника, транзистор открывается, контакты реле срабатывают, что приводит к запоску насоса. После увлажнения почвы, грунт имеет уже низкое сопротивление, напряжение на затворе снижается и полевик закрывается, реле выключается. В этом видео рассмотрено, как ссобрать простой усилитель всего на одном полевом транзисторе своими руками. Выходная мощность схемы при 4 Ом нагрузке на выходе, может достигать до 5 Вт. Так-что гоу смотреть: |
  |
